Journal of Semiconductors杂志社论文格式要求：
1、如作者不同意文章被收录，请在来稿时向本刊声明，本刊将做适当处理。来稿请用小四号字打印，同时提供打印稿和电子文本（word格式）。
2、论文应有中英作者署名、工作单位、所在省、市名称和邮编。如有多位作者，其间以逗号分开，其工作单位不同，应按阿拉伯数字顺序标注在右上角，单位与单位之间用分号。
3、文内一级标题序号用1，2，3……，小四号黑体；文内二级标题序号用1.1，1.2，1.3……，五号黑体；余类推。各层次的序号均须左顶格，后空一字距后再接排标题。
4、摘要的字数要求在200字左右，要中英文对应。内容包含研究的目的、方法、结果和结论。
5、正文中标题编排格式为：二级标题用“一”或“一、……”（居中、宋体四号）；三级标题用“（一）”（首行缩进两格、宋体五号加粗）；四级标题用“1.……”（宋体五号）。
6、注释统一采用尾注，并请以正文格式列于文章末尾，勿用word自动生成；序号采用“[]”方括号标注；外国作者国籍采用“〔〕”六角括号标注。
7、图、表和公式应通篇分别编号，图题、表题应有中英文对照。表格应采用三线表形式，内容以英文表述。参考文献应有中英文对照，并在正文中按顺序引用。
8、前言应交代本研究历史背景、研究意义和研究目的，提出研究需要解决的问题，重点阐述本研究创新点。
9、文章结构：稿件应包括标题、摘要、引言、材料与方法、结果、讨论、结论、参考文献等部分。其中，摘要应简明扼要地介绍研究背景、目的、方法、结果和结论；引言应明确研究背景与目的；材料与方法应准确描述实验设计、样本选择、数据收集和统计分析方法；结果和讨论分别阐述实验结果和对结果的解释和讨论。
10、外文文献在前，中文文献在后。同一作者不同时期的文献按出版时间的先后顺序排列。外文书名以斜体书写，实词首字母大写；外文论文篇名以正体书写，仅篇名首字母大写。每条顶格写，回行时空两格。
Journal of Semiconductors杂志简介
杂志自1980年创刊，现任主编李树深，由中国科学院半导体研究所;中国电子学会主办的电力类期刊，刊物质量不断提高，个性特色逐渐明显，覆盖面不断扩大，影响力不断增强，受到领导、读者和学者的肯定和鼓励。
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