固体电子学研究与进展杂志收录论文类型主要包括：三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯等。
杂志论文要求：
1、论文摘要字数请控制在400字以内，内容要明确体现核心观点、创新之处及研究方法。
2、作者单位用脚注方式（阿拉伯数字）书写在正文第1页最下方，写明所有作者的工作单位、城市(或县)和邮政编码。第一作者必须在文末提交个人简介。书写格式依次为：姓名(出生年～)、性别、民族、学历、职称、研究方向等。
3、文章各章节或内容层次的序号,一般依一、(一)、1、(1)等顺序表示。
4、论文标题的层级，按一、（一）、1、（1）……排列，标题序号后不加逗号，标题末尾不加句号。
5、注意引用近两年国内外的最新文献。本刊采用顺序编码制标注参考文献，文献序号按出现先后排序，并在文中相应处标出。
固体电子学研究与进展杂志是由中国电子科技集团公司主管，南京电子器件研究所主办的统计源期刊，影响因子为：0.29。顺应社会的发展，杂志获得了多项荣誉：中国优秀期刊遴选数据库、中国期刊全文数据库（CJFD）、中科双效期刊、中国科技期刊优秀期刊、中国期刊方阵双效期刊等。
杂志往期论文摘录展示
X波段400 W GaN内匹配功率管
0.3～2.0 GHz 100 W GaN超宽带功率放大器
场板结构对AlGaN/GaN HEMT温度场的影响
短沟道MOSFET源漏寄生电阻的二维半解析模型
L波段载板式双平衡限幅低噪声放大器
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