半导体技术杂志收录论文类型主要包括：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术等。
杂志论文要求：
1、来稿要求论点明确、论据可靠、文字精炼、图表清晰、行文通顺、体例规范，内容注意保守国家机密。
2、文中如出现外国人名，第一次出现时需译成汉语，用括号标注外文原名，以后出现时直接用汉译人名。
3、“一”后加“、”号，“l”后加“．”，（一）、(l)不加任何标点，‘第一”、‘首先”后面均要加“，”号。
4、引用文献作者不超过3人的全部著录；超过则只列出前3人，后加“，等.”。
5、作者简介包括以下内容：真实姓名、出生年份、性别、籍贯、职称、专业学位和研究方向。
半导体技术杂志是由中国电子科技集团公司主管，中国电子科技集团公司第十三研究所主办的北大期刊，影响因子为：0.34。顺应社会的发展，杂志获得了多项荣誉：Caj-cd规范获奖期刊、中国优秀期刊遴选数据库、中国期刊全文数据库（CJFD）、中国科技期刊优秀期刊、北大图书馆收录期刊等。
杂志往期论文摘录展示
征稿通知 第13届国际专用集成电路会议
金刚石基GaN HEMT技术发展现状和趋势
基于InGaAs盖革模式APD探测器的主动淬灭电路设计
一种性能指标可配置的SAR ADC的设计与实现
SiC MOSFET的短路特性
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